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紅「芯」勢力崛起 三星DRAM事業的危機與中轉

作者:范維君時間:2019-04-10來源:DIGITIMES收藏

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本文引用地址:http://www.ghlhk.icu/article/201904/399342.htm

半導體無所不在,舉凡汽車、家電、手機到戰斗機,皆少不了半導體這玩意。半導體為韓國最具代表性產業,占外銷總金額的20%。然而2018年底存儲器榮景告終、價格走跌,除了讓電子(Samsung Electronics)存儲器事業陷入危機外,韓國經濟前景也跟著蒙上陰影。面對中國大陸力拚崛起,及工業4.0革命可能帶來的爆炸性需求,半導體事業將采取何種策略令人好奇。

陷價格風暴 庫存資產飆升

2018年三星電子全年營收243兆韓元(約2,169億美元),營業利益59兆韓元,其中半導體事業占三星營收的35%,但營業利益卻占76%,半導體等于撐起三星大多數獲利,然2018年底三星存儲器營收季減24%,營業利益季減43%,危機隱憂浮現。

三星半導體事業分為存儲器(、NAND Flash)與非存儲器(系統IC及晶圓代工)。2018年三星半導體事業營收86兆韓元,存儲器占比84%,非存儲器占比16%,半導體事業營業利益44兆韓元,存儲器占97%,非存儲器僅占3%,半導體事業獲利極端依賴存儲器。

從存儲器部門營收與營業利益來看,2018年三星存儲器營收72兆韓元,64%營收來自DRAM,36%營收來自NAND Flash,存儲器營業利益43兆韓元,75%營業利益來自DRAM,25%營業利益來自NAND Flash,三星存儲器事業獲利也不均衡,DRAM可說是三星最大獲利金雞母,重要性可見一斑。

1983年三星發表著名的「東京宣言」,正式開啟DRAM事業序曲,DRAM成為三星王國版圖中最重要的產品。2000年代全球DRAM市場經歷多次膽小鬼賽局,業者從十多家變成個位數,逐漸形成三星、SK海力士(SK Hynix)與美光(Micron)三巨頭寡占局面,三星與SK海力士(SK Hynix)合計市占率超過7成,韓國稱霸全球DRAM市場。

2016年以來受惠于PC、智能型手機需求擴大,存儲器市場進入榮景循環,直至2018年底DRAM價格走跌。市調機構預估,2019年第1季DRAM價格年跌幅,將從原本的25%擴大至30%,這對高度依賴存儲器的三星自然不是好消息。預料隨著存儲器價格持續走跌,2019年三星恐讓出全球半導體龍頭企業寶座,英特爾(Intel)有望重登王位。

最近也傳出三星庫存資產飆升情況嚴重,相較于產品價格下滑,庫存資產升高背后的原因更值關注。因為這表示,三星存儲器主要客戶,美國與中國大陸等的服務器業者訂單大幅減少。盡管三星預測2019年下半市況將會好轉,但韓國業界則比較悲觀,認為短期內三星降低庫存資產水位并非易事。

稍早傳出三星已帶頭在NAND Flash市場大幅砍價,應驗先前存儲器市場膽小鬼賽局,將從NAND Flash開始的預言,由于DRAM市場已形成寡占局面,三巨頭合計市占率高達95%,DRAM市場再掀膽小鬼賽局的可能性相對較低。

日前SK海力士宣布,斥資120兆韓打造4座半導體廠,美光則決定加碼中國臺灣建封測廠,三星也積極興建平澤二廠。放眼未來DRAM市場,三星、SK海力士與美光的擴產競爭仍將持續,而中國大陸何時加入與如何加入?恐成DRAM市場最大變量。

三星DRAM堅守韓國 EUV制程拚2020年投產

中國大陸目前有SK海力士無錫DRAM廠、英特爾(Intel)大連NAND Flash廠、美光西安DRAM廠,及三星西安NAND Flash廠。至今,三星并未將DRAM生產移至大陸。三星DRAM生產工廠主要以華城為主,最近也擴及至平澤園區。

2019年三星DRAM產線計有5條:華城13、華城15、華城16及華城17及平澤P1。原本華城11產線生產DRAM,但2018年決定轉換生產CMOS影像傳感器(CIS),華城16產線中的2D NAND Flash產線,則是轉換生產DRAM彌補產能。

DRAM從20納米進入10納米1x制程已相當不容易,接下來10納米1y及1z制程更為困難。2017年11月三星率先量產1y納米制程DRAM,2019年3月21日三星宣布完成開發1z納米制程,預計2019年下半進入量產。

美光2018年底量產1y納米制程Mobile DRAM,SK海力士則是宣布2019年第1季起量產1y納米制程DRAM,三星領先對手1~2年,預料2019年三家業者的10納米級DRAM制程競爭,勢將更為白熱化。

三星傳計劃2020年初,啟用極紫外光(EUV)設備試產新一代DRAM。事實上,導入EUV設備制程的舉動,將讓以美國為首的全球半導體制造地位更為鞏固,墊高日后中國大陸業者進入先進制程的難度。

盡管大陸已在IC設計、封測及晶圓代工領域有所進步,但在半導體制造領域大部分仍由中國臺灣、韓國業者掌握,中國臺灣、韓國身為美國半導體同盟成員,未來是否可能與大陸合作?頗值得玩味與觀察。

半導體的政治經濟學 紅芯崛起的辯證思考

從國際政治經濟學來看,中國大陸半導體崛起別具意義。美國向來視半導體為國家安全戰略的一環,美蘇冷戰時期,蘇聯高層誤信半導體抗輻射能力不如真空管,在發展半導體的黃金期敗下陣來,全球半導體產業就以美國為中心揭開序幕。

蘇聯敗下陣后,美國也開始拉邦結友,半導體產業于是以美國及其「盟友」為中心開始發展。例如,DRAM有三星、SK海力士等盟友,NAND Flash有三星、SK海力士、東芝等盟友,及美光、威騰(WD)、英特爾等美國業者,CPU則由英特爾及超微(AMD)掌握。

隨著大陸經濟與科技不斷猛進,科技發展逐漸擴及半導體,進一步計劃半導體自給率從目前的15%,提升至2025年的70%。此舉自然引起美國警戒,美國總統川普為防堵中國大陸半導體勢力崛起,日前對福建晉華祭出禁售令,聯電自然也得急忙撇清關系。

在此之前,美國曾經禁止英特爾出售高階芯片予大陸,也曾阻礙中國大陸企業收購美國半導體公司。雖然美國可能也有意牽制所有中國大陸的存儲器業者,但暫時還無法有正當理由對NAND Flash發動攻勢。

中國大陸自然不甘坐以待斃,2017年底~2018年初大陸國家發展改革委員會,傳曾經約談三星半導體高層,2018年5月反壟斷局正式對三星、SK海力士及美光等三家業者展開調查,施壓意味明顯。傳為了加速中國大陸半導體產業崛起,中國大陸當局要求這些業者中斷對大陸企業提出專利侵權訴訟,交換條件是免除數十億美元罰金。

DRAM領域牽涉到的技術面訴訟,及軍事用途等敏感問題,這些在NAND Flash身上都不存在,加上NAND Flash技術門檻較低,將使大陸NAND Flash產業成長速度快過DRAM。盡管中國大陸的DRAM發展值得關注,但目前看來想追上三星、SK海力士等并非易事。

從需求層面來看,2018年全球前十大半導體客戶大陸進榜4家,分別是華為、聯想、步步高及小米,中國大陸半導體崛起的最大助力,除政策金援外,其龐大的內需也不容忽視。如果從三星極度不均衡發展的半導體事業出發,三星或許也想利用這股紅芯崛起,修正半導體事業的不均衡。

三星DRAM的危與機 高層跳槽為哪里樁

目前中國大陸力拚半導體崛起,對三星而言恐怕「感同身受」,因為過去三星也是從落后到追趕,終成一方霸主。回顧三星發展DRAM事業的當時,不少日本研究機構多給予負評,認為三星無法成功發展半導體事業。

2017年底,三星發布了一項不尋常的人事命令,讓三星存儲器事業部長全永鉉出任三星代表理事。全永鉉曾任樂金半導體DRAM開發組,1999年轉任三星電子,先后擔任DRAM開發室長、Flash開發室長、策略營銷組長等職,2015年成為存儲器事業部長,可說是三星發展DRAM與NAND Flash的重要人物。

盡管不少人猜測,三星有意將三星電子的成功經驗復制到三星,但當時正值三星存儲器供不應求,價格不斷沖高之際,三星卻將存儲器核心人力調往三星SDI令人不解。

1970年成立的三星SDI,并非三星集團的主力公司,受關注程度不及三星電子,事業項目也進行過多次調整。早期三星SDI生產映像管(CRT),2014年整并第一毛織材料事業,能源解決方案與電子材料為目前的兩大發展主軸。

審視三星集團龐大且復雜的循環出資圖,可發現三星物產-三星電子-三星SDI-三星物產這條循環出資路徑,三星SDI對第三代繼承經營權轉移扮演關鍵角色,其背后最大股東則是三星電子。

據ET News報導,2018年底三星針對想轉赴大陸半導體企業任職的離職主管,提出禁止轉職假處分。2017年底三星發布定期人事異動,曾將這名高層派至三星SDI策略營銷室,不久后該名高層就以個人因素為由提出辭呈,隨即在2018年第3季進入合肥長鑫上海DRAM設計部門,這在韓國企業顯得極不尋常。

中國大陸喊出半導體崛起口號后,約從2~3年前開始研發存儲器,最早先從同文同種的中國臺灣業界挖角,之后將延攬目標轉向韓國,逐漸以韓國工程師取代臺灣工程師,期透過挖角人才快速提升競爭力。

短期而言,中國大陸發展DRAM產業并不會對三星及韓國存儲器霸主地位構成威脅,反觀目前DRAM價格不斷下滑、需求縮減與庫存升高,恐怕才是三星應盡早解決的當務之急。展望未來,就算中國大陸DRAM順利量產,所要面對的智財權(IP)問題恐怕相當棘手。



關鍵詞: 三星 DRAM SDI

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